[发明专利]屏蔽式只读存储器的制造方法

摘要

本发明是提供一种屏蔽式只读存储器的制造方法，其是在基底中同时植入N型与P型杂质，在存储单元数组区的基底形成埋入式位线，再经热制程使P型杂质包围该埋入式位线，以征成一口袋型的掺杂区域，再于氧化层上沉积一多晶硅层，而于该多晶硅层中分别在存储单元中央的细胞数组区域与周围区域，植入N型杂质与P型杂质，并在多晶硅层表面征成一导电层，以形成多晶硅化金属栅极，再进行后续的半导体制程以形成屏蔽式只读存储器。本发明在缩小半导体组件尺寸的要求下，不仅可修护离子植入时受损的氧化层，更可缩小空乏区的距离与杂质扩散衍生的击穿现象，保持良好的半导体组件特性，亦使得制造时较为简便，进而增加产品的合格率。

主权项

1.一种屏蔽式只读存储器的制造方法，其特征是包括下列步骤：提供一半导体基底，其是分为外围区域及存储单元数组区域；形成一氧化层在该基底上；在该氧化层上形成一第一图案化光阻层；以该第一图案化光阻层为屏蔽，对该基底进行一N型及P型杂质的离子植入步骤，以在该存储单元数组区域的基底内形成多个埋入式位线；进行一热制程，以活化该P型杂质，使该P型杂质包围该埋入式位线，而形成一口袋型掺杂区域；在该氧化层上形成一已定义的多晶硅层；进行一全面性N型杂质的离子植入步骤；在该多晶硅层上形成一第二图案化光阻层，以覆盖该存储单元数组区域，并露出部份的该外围区域；以该第二图案化光阻层为屏蔽，对该多晶硅层进行一P型杂质的离子植入步骤；移除该第二图案化光阻层后，在该多晶硅层表面形成一导电层；及定义该多晶硅层及该导电层，以形成多晶硅化金属栅极。