[发明专利]形成屏蔽式只读存储器中的金属硅化物的方法

摘要

本发明是提供一种形成屏蔽式只读存储器中的金属硅化物的方法，包括下列步骤，先提供一已定义有周边电路区域与存储单元区域的半导体结构，且存储单元区域至少包含一埋入掺杂区；再形成一多晶硅层于半导体结构上，并移除外围电路区域上的部分多晶硅层，以于外围电路区域上形成至少一栅极结构；然后于栅极结构的侧壁上形成一间隙壁；再形成一金属硅化物于栅极结构与多晶硅层上；而后移除存储单元区域的部分金属硅化物与多晶硅层，以暴露出存储单元区域的埋入掺杂区。如此埋入掺杂区就不会因金属硅化物的形成而产生漏电的问题，同时外围电路区域可藉由金属硅化物降低其组件电阻。

主权项

1.一种形成屏蔽式只读存储器中的金属硅化物的方法，其特征是包括下列步骤：提供一半导体结构，该半导体结构至少定义成一外围电路区域与一存储单元区域，该存储单元区域至少包含一埋入掺杂区；形成一多晶硅层于该半导体结构上，该多晶硅层至少覆盖于该外围电路区域与该存储单元区域上；移除该外围电路区域上的部分该多晶硅层，以于该外围电路区域上形成至少一栅极结构；形成一间隙壁于该栅极结构的侧壁上；形成一金属硅化物于该栅极结构上、该外围电路区域上与该存储单元区域的该多晶硅层上；以及移除该存储单元区域的部分该金属硅化物与该多晶硅层，以暴露出该存储单元区域的该埋入掺杂区。