[发明专利]感应耦合式等离子体装置无效
| 申请号: | 02127324.3 | 申请日: | 2002-07-31 |
| 公开(公告)号: | CN1426090A | 公开(公告)日: | 2003-06-25 |
| 发明(设计)人: | 尤里·N·托尔马加夫;马东俊;文昌郁;尹惠荣 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;H01J37/00;H05H1/00 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 王景刚,李瑞海 |
| 地址: | 暂无信息 | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | 提供一种感应耦合式等离子体装置,此感应耦合式等离子体装置包括一处理腔室、一顶部等离子体源腔室、一反应器、一感应器、一开孔和一挡板。处理腔室具有一晶片基座,上面装设一基底。顶部等离子体源腔室装设在处理腔室。反应器装设在顶部等离子体源腔室之中;具有一通道,一种气体流经此通道;以及把等离子体各反应产物供给处理腔室。感应器装设在顶部等离子体源腔室与反应器之间并缠绕反应器。开孔设置在其中装设感应器的、反应器周边空间与处理腔室之间。挡板可开启和关闭开孔。因而,可以改进发自一等离子体源的各种自由基的均匀径向分布。 | ||
| 搜索关键词: | 感应 耦合 等离子体 装置 | ||
【主权项】:
1.一种感应耦合式等离子体装置,包括:一处理腔室,具有一其上装设一基底的晶片基座;一顶部等离子体源腔室,装设在处理腔室上;一装设在顶部等离子体源腔室之中的反应器,具有一气体由之流过的通道,并把等离子体反应产物供给处理腔室;一感应线圈,装设在顶部等离子体源腔室与反应器之间并缠绕于反应器;一开孔,设置在其中装设感应线圈的反应器外围空间与处理腔室之间;以及一开启和关闭所述开孔的挡板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





