[发明专利]具有沟槽隔离的半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 02127067.8 | 申请日： | 2002-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN1421913A | 公开（公告）日： | 2003-06-04 |
| 发明（设计）人： | 堤聪明 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘宗杰,叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的主要目的在于提供具有能够减缓应力、同时能够可控地形成沟道截止层，以及能够得到良好的隔离特性的改进了的沟槽隔离的半导体器件。在半导体衬底(1)的表面设置了沟槽(6)。以在沟槽(6)内产生孔隙的方式，设置了其一部分嵌入给该沟槽(6)，并且向上方延伸的绝缘膜(8)。使沟槽(6)的上端的直径比绝缘膜(8)的直径小。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 沟槽 隔离 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有沟槽隔离的半导体器件，其特征在于：包括：半导体衬底1；在上述半导体衬底1的表面设置的沟槽6；以及以在上述沟槽6内产生孔隙的方式，其一部分嵌入该沟槽6并且向上方延伸的绝缘膜8，上述沟槽6的上端的直径比上述绝缘膜8的直径小。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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