[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 02126528.3 申请日: 2002-07-19
公开(公告)号: CN1399405A 公开(公告)日: 2003-02-26
发明(设计)人: 冈本和明;荒木达 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H03K17/16 分类号: H03K17/16
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 刘宗杰,叶恺东
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供在即使dv/dt过渡信号具有时间差而供给时也可以防止功率器件的误动作的电平移位电路。高电位侧功率器件驱动电路HD1为了驱动NMOS晶体管24和25具有通过按一定周期T输出脉冲而生成所谓的内部时钟信号的时钟信号发生电路16和与时钟信号发生电路16的输出信号S10同步地监视外部的输入信号S1的状态、接收以接地电位为基准而发生的脉冲状的输入信号S1并发生脉冲状的导通信号S2和截止信号S3的重复脉冲发生电路17。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
1.一种进行串联连接的介于高电位的主电源电位与低电位的主电源电位之间的第1和第2开关器件的驱动控制的半导体装置,其特征在于:具有控制上述第1和第2开关器件中高电位侧开关器件的导通/非导通的控制部、与具有表示上述高电位侧开关器件的导通的第1状态和表示上述高电位侧开关器件的非导通的第2状态的第1输入信号的上述第1和第2状态对应地发生第1和第2重复脉冲信号的脉冲发生部和使上述第1和第2重复脉冲信号向高电位侧进行电平移位而得到第1和第2已分别进行了电平移位的重复脉冲信号的电平移位部,上述控制部根据上述第1和第2已进行了电平移位的重复脉冲信号向上述高电位侧开关器件输出分别使上述高电位侧开关器件导通或非导通的控制信号。
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