[发明专利]半导体器件的抬升源极/漏极的制造方法无效
| 申请号： | 02126347.7 | 申请日： | 2002-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN1469435A | 公开（公告）日： | 2004-01-21 |
| 发明（设计）人： | 张国华 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件的抬升源极/漏极的制造方法，此方法首先在一基底上形成一栅极结构。接着，在栅极结构两侧的基底中形成一浅接面源极/漏极。并且，在栅极结构的侧壁形成一间隙壁。之后，在栅极结构与浅接面源极/漏极上形成一硅化锗抬升层，其中形成于源极/漏极表面上的硅化锗抬升层为一源极/漏极抬升层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 抬升 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件的抬升源极/漏极的制造方法，其特征在于：包括：在一基底上形成一栅极结构；在该栅极结构两侧的该基底中形成一浅接面源极/漏极；在该栅极结构的侧壁形成一间隙壁；在该栅极结构与该浅接面源极/漏极上形成一硅化锗(Si1-xGex)抬升层，其中形成于该源极/漏极表面上的该硅化锗抬升层为一源极/漏极抬升层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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