[发明专利]制作具有埋藏导线的半导体元件的方法无效
| 申请号： | 02126152.0 | 申请日： | 2002-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN1467814A | 公开（公告）日： | 2004-01-14 |
| 发明（设计）人： | 陳朝陽 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 任永武 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种制作具有埋藏导线的半导体元件的方法，至少包括下列步骤：提供一底材；形成一沟渠于该底材内以形成一隔离区并限定出主动区域；形成一图案化罩幕层覆盖该底材并曝露出邻近的该主动区域；以及以一倾斜角离子布植于沟渠下的该底材内形成一埋藏导线以连接邻近的该主动区域。本发明利用一次离子布植制程以形成埋藏导线于如浅沟渠隔离的隔离区之下，并且此埋藏导线连接邻近的主动区域并取代连接传统主动区域的接触与导线。由于导线被埋在底材内，至少一内层介电层与传统的接触与导线可以省略，也因此所需的制程步骤亦可简化。此外，不仅半导体元件的集成度与密度可藉由省略接触而实现，而且半导体元件的平坦度与制程空间也可因此有效提高。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 具有 埋藏 导线 半导体 元件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制作具有埋藏导线的半导体元件的方法，其特征在于，至少包括下列步骤：提供一底材；形成一沟渠于该底材内以形成一隔离区并限定出主动区域；形成一图案化罩幕层覆盖该底材并曝露出邻近的该主动区域；以及以一倾斜角离子布植于沟渠下的该底材内形成一埋藏导线以连接邻近的该主动区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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