[发明专利]利用离心力干燥晶片的防吸附方法和设备无效
| 申请号： | 02125134.7 | 申请日： | 2002-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN1405847A | 公开（公告）日： | 2003-03-26 |
| 发明（设计）人： | 赵镇佑;李文喆;李银圣 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/30 | 分类号： | H01L21/30;H01L21/302;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 王景刚,李瑞海 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种利用离心力干燥晶片的防吸附方法和设备。此防吸附方法包括如下步骤(a)使用蚀刻溶液除去叠置在晶片与微型结构间的牺牲层，(b)在漂洗溶液中漂洗蚀刻的微型结构和蚀刻的晶片达一预定时间，以致微型结构与晶片间的蚀刻溶液为漂洗溶液代替，(c)把漂洗过的晶片装在连接于一转动轴的一安装装置中并通过轴的转动除去留在晶片与微型结构间的漂洗溶液。晶片以铅直位置装在安装装置中，以致微型结构面向转动轴之外。因此，可以防止干燥过程中由MEMS工艺方法制成的微型结构与晶片间的吸附现象。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 离心力 干燥 晶片 吸附 方法 设备 | ||
【主权项】：
1.一种用于干燥晶片和制成在晶片上的微型结构的防吸附方法，此方法包括如下各步骤：(a)使用一种蚀刻溶液来除去叠置在晶片与微型结构之间的一牺牲层；(b)在一种漂洗溶液中漂洗经过蚀刻的微型结构和经过蚀刻的晶片一预定时间，使得微型结构与晶片之间的蚀刻溶液为漂洗溶液所代替；以及(c)把漂洗过的晶片装在连接于一转动轴的一安装装置之中并通过转动此轴而除去留在晶片与微型结构之间的漂洗溶液；其中晶片以铅直方位装在安装装置之中，使得微型结构背离转动轴向外。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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