[发明专利]制作滤光片的方法有效
| 申请号: | 02124707.2 | 申请日: | 2002-06-21 | 
| 公开(公告)号: | CN1396665A | 公开(公告)日: | 2003-02-12 | 
| 发明(设计)人: | 叶拯邦;陈庆忠 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司 | 
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/00 | 
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈红 | 
| 地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 台湾;71 | 
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| 摘要: | 本发明为一种制作滤光片的方法,可增加一半导体晶片上的一滤光片附着力并避免光线的跨越干扰现象;该方法是先于该半导体晶片上形成一介电层以覆盖设于该半导体晶片上的MOS晶体管感测器;然后于该介电层上形成复数个金属层约略设置于各MOS晶体管感测器两侧上方;接着形成一保护层,并于该保护层上形成一第一滤光片,其两侧与下方的两该金属层约略对齐;之后依序于该保护层上形成一第二滤光片以及一第三滤光片且分别部分相叠于该第一滤光片的一侧;其中各滤光片相叠的部分可以提高各该滤光片的附着力,同时形成一光线阻障层,以避免光线的跨越干扰。 | ||
| 搜索关键词: | 制作 滤光 方法 | ||
【主权项】:
                1.一种增加一半导体晶片上的一滤光片附着力并避免光线的跨越干扰现象的方法,该半导体晶片上包含有一基底,复数个金属氧化半导体(MOS)晶体管感测器设于该基底上,以及复数个绝缘物分别设于任两MOS晶体管感测器间的该基底上,其特征是:该方法包含有下列步骤:于该半导体晶片上形成一介电层,覆盖该MOS晶体管感测器以及该绝缘物;于该介电层上形成复数个金属层,且任两该金属层约略设置于其中的一该MOS晶体管感测器两侧上方;于该介电层上以及该金属层上形成一保护层;于该保护层上形成一第一滤光片,其中该第一滤光片系设置相对应于其中的一该MOS晶体管感测器上方,且该第一滤光片的两侧与其下方的两该金属层约略对齐;以及于该保护层上形成一第二滤光片以及一第三滤光片,且部分的该第二滤光片以及部分该第三滤光片分别相叠于该第一滤光片的一侧;其中该第二滤光片以及该第三滤光片与该第一滤光片相叠的部分用来增加各该滤光片的接触面积,以提高各该滤光片的附着力,同时该第二滤光片以及该第三滤光片与该第一滤光片相叠的部分用来形成一光线阻障层,以避免光线的跨越干扰。
            
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                    H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
                
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