[发明专利]自适应全反射极紫外投影光刻物镜无效
| 申请号： | 02123753.0 | 申请日： | 2002-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN1466001A | 公开（公告）日： | 2004-01-07 |
| 发明（设计）人： | 张强;姚汉民;刘业异;胡松 | 申请（专利权）人： | 中国科学院光电技术研究所 |
| 主分类号： | G02F1/03 | 分类号： | G02F1/03;G02B5/124;G02B27/18 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 | 代理人： | 刘秀娟 |
| 地址： | 610209*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 自适应全反射极紫外EUV(Extreme Ultraviolet)投影光刻物镜，可用于EUV投影光刻机中，它包括2－4片球面或非球面反射镜和一片变形反射镜构成的投影光学系统及成像探测器和控制器，极紫外光照射掩模后，依次通过2－4片球面或非球面反射镜以及变形反射镜构成的投影光学系统到达工件，由成像探测器在工件表面进行探测，其探测的信号通过控制器控制变形反射镜的反射镜面，对投影光刻物镜自身像差进行校正。其主要光学参数为：缩小倍率4～6倍，数值孔径0.1～0.4，成像视场20～30mm×1～2mm，本发明不仅可以简化投影光刻物镜结构，降低非球面反射镜的面形精度要求，而且能够消除环境变化等动态因素对投影光刻物镜像差的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 自适应 全反射 紫外 投影 光刻 物镜 | ||
【主权项】：
1.自适应全反射极紫外投影光刻物镜，其特征在于：包括投影光学系统、成像探测器和控制器，投影光学系统由2-4片球面或非球面反射镜、一片变形反射镜构成，极紫外光照射掩模后，依次通过2-4片球面或非球面反射镜以及变形反射镜构成的投影光学系统到达工件，由成像探测器在工件表面进行探测，其探测的信号通过控制器控制变形反射镜的反射镜面，对投影光刻物镜自身像差进行校正。
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