[发明专利]化合物半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 02123314.4 | 申请日： | 2002-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN1407608A | 公开（公告）日： | 2003-04-02 |
| 发明（设计）人： | 浅野哲郎;榊原干人 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/772 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 杨梧,马高平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种化合物半导体装置的制造方法。在化合物半导体装置中，在底座电极之下，为了安全，在最终工序之前，留有硅氮化膜，但有以下缺点，由于基板和氮化膜坚硬，接合时氮化膜易开裂。本发明在底座电极及配线层之下或周端部之下，设置高浓度区域，除去底座电极下的氮化膜。即使利用高浓度区域除去氮化膜，也能确保规定的隔离水平，所以，可以省略用于防止开裂的镀金工序。可以提供能缩小各底座和配电层的间隔距离，实现芯片缩小的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种化合物半导体装置的制造方法，其特征在于，包括以下工序，在附着形成栅极的栅格金属层以前，在预定的底座区域下的半导体基板表面形成高浓度区域的工序；在所述高浓度区域上，附着所述栅格金属层，形成第一底座电极的工序；在所述第一底座电极上，附着底座金属层，形成第二底座电极的工序；在所述第二底座电极上压装接合线的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
