[发明专利]半导体试验装置、半导体装置的试验方法和制造方法无效
| 申请号： | 02122843.4 | 申请日： | 2002-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN1412829A | 公开（公告）日： | 2003-04-23 |
| 发明（设计）人： | 西村安正 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/00;G11C29/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘宗杰,叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的课题是提供能存储不合格存储单元的地址数据且是廉价的半导体试验装置、半导体试验方法和半导体装置的制造方法。如果从ALPG对作为试验对象的半导体存储器11、12、…、1n输入测试模式，则从半导体存储器11、12、…、1n对No－Go标记20输入模式。No－Go标记20根据从半导体存储器11、12、…、1n输入的模式，判定半导体存储器11、12、…、1n是否合格。利用对应的列地址对应计数器31、32、…、3n存储由No－Go标记20判定为不合格的半导体存储器内的不合格存储单元的列地址数据。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 试验装置 装置 试验 方法 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体试验装置，该半导体试验装置对半导体存储器进行试验，其特征在于，具备：模式发生器，对上述半导体存储器输入测试模式；判定器，利用从上述半导体存储器输出的模式，判定上述半导体存储器是否合格；以及地址计数器，在利用上述判定器进行了不合格的判定的情况下，存储上述半导体存储器内的不合格存储单元的地址数据。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
