[发明专利]浅槽隔离的制造方法

摘要

一种浅槽隔离的制造方法，包含下列步骤：提供一基材，该基材上具有圆滑的底部角落的沟渠。再利用热氧化工艺，在沟渠及基材的表面形成具有圆滑的顶部角落的第一氧化硅层。第一离子注入工艺，在第一氧化硅层的下方形成一第一离子注入区。沉积一第二氧化硅层，化学机械研磨第二氧化硅层及第一氧化硅层，达到一预定的总厚度时停止。使用第二离子注入工艺，使第一离子注入区局部形成第二离子注入区。最后，再清洗第一氧化硅层及第二氧化硅层至第二离子注入区，使露出第二离子注入区。

主权项

1.一种浅槽隔离结构的制造方法，至少包括下列步骤：提供一基材，在该基材中形成一沟渠，该沟渠具有圆滑的底部角落；利用热氧化工艺，在该沟渠及该基材的表面形成一第一氧化硅层，其中该第一氧化硅层具有圆滑的顶部角落；利用第一离子注入工艺，使该第一氧化硅层的下方形成一第一离子注入区；沉积一第二氧化硅层于该第一氧化硅层上方及该沟渠之中；平坦化该第二氧化硅层及该第一氧化硅层，至该第一离子注入区上方的该第一氧化硅层及该第二氧化硅层形成一预定的总厚度时停止；利用第二离子注入工艺，使该第一离子注入区局部形成一第二离子注入区；以及清洗该第一氧化硅层及该第二氧化硅层至该第二离子注入区，使露出该第二离子注入区。