[发明专利]液晶显示荧幕的制造方法无效
| 申请号： | 02122295.9 | 申请日： | 2002-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN1464329A | 公开（公告）日： | 2003-12-31 |
| 发明（设计）人： | 石储荣;林国隆;陆一民;吴逸蔚 | 申请（专利权）人： | 统宝光电股份有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/136 | 分类号： | G02F1/136;H01L21/84 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种液晶显示荧幕的制造方法，一多晶硅层形成于绝缘基材之上，在多晶硅层上形成第一主动区及第二主动区。在多晶硅层之上形成第一绝缘层，接著同时在第一主动区上形成闸极及在第二主动区上形成闸极及上电极。进行一P型离子布植，在多晶硅层中定义出源/汲极区及通道区及下电极。再覆盖第二绝缘层。形成源极线与汲极线分别与源极区以及汲极区电性耦合，再形成介电层覆盖于绝缘基材之上，再于第二主动区上形成画素电极与汲极线电性连接。 | ||
| 搜索关键词： | 液晶显示 荧幕 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种液晶显示荧幕的制造方法，该方法适用于一绝缘基材之上，至少包括：形成一多晶硅层于该绝缘基材之上；定义该多晶硅层以形成第一主动区及第二主动区；形成一第一绝缘层，覆盖于该多晶硅层之上；形成图案化一第一导体层于该第一绝缘层之上，该第一导体层为闸极及电容的上电极；以该第一导体层为罩幕，对该多晶硅层进行一P型离子布植以定义出源/汲极区及通道区；形成一第二绝缘层覆盖于该绝缘基材之上；形成复数个第一接触窗开口并暴露出该些源/汲极区；形成源极线与汲极线分别与该源极区以及该汲极区电性耦合；形成距平坦表面一介电层覆盖该第二绝缘层及该源极线与该汲极线；形成第二接触窗开口于该介电层中并暴露出位于该第二主动区上方的该汲极线；以及形成一画素电极与该汲极线电性连接。
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