[发明专利]一种防止重工光阻倒塌的方法有效
| 申请号： | 02122084.0 | 申请日： | 2002-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN1464535A | 公开（公告）日： | 2003-12-31 |
| 发明（设计）人： | 杨人龙;曾乙峰;高明宽;曾素玲;陈隆 | 申请（专利权）人： | 矽统科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/311;G03F7/26 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵蓉民;王初 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种防止重工光阻倒塌的方法，其是在去除芯片上不满意的光阻之后及在再次进行微影步骤之前，先将芯片置放在通有一氧化二氮气体(N2O)的沉积反应室内一段时间，以在芯片表面上沉积一层富含氮的原始氧化层，使芯片表面的湿度及反射率回复至光阻重工之前的适当范围。根据本发明的方法可避免由于芯片表面湿度与反射率改变，造成曝光不良而导致光阻倒塌，因而可有效地改善重工光阻的倒塌情形，提高工艺良好率及减少制作成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 防止 重工 倒塌 方法 | ||
【主权项】：
1.一种防止重工光阻倒塌的方法，适用于半导体基材，其特征在于：该半导体基材上形成有一第一光阻图案，该方法至少包括下列步骤：去除该第一光阻图案；将该半导体基材曝露于一氧化二氮气体中一预定时间，以在该基材的表面形成一原始氧化层；以及形成一第二光阻图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
