[发明专利]两晶体管的静态随机存取存储单元及其操作方法无效
| 申请号: | 02120386.5 | 申请日: | 2002-05-23 |
| 公开(公告)号: | CN1459864A | 公开(公告)日: | 2003-12-03 |
| 发明(设计)人: | 方宏基 | 申请(专利权)人: | 科统科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/11 | 分类号: | H01L27/11;G11C11/34 |
| 代理公司: | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人: | 王学强 |
| 地址: | 台湾省新竹市 *** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 一种两晶体管的静态随机存取存储单元及其操作方法,其具有第一晶体管、第二晶体管、第一电容以及第二电容。第一晶体管具有第一连接端、第二连接端以与栅极端,第一晶体管的第一连接端耦接第一位线,第一晶体管的栅极端耦接字符线。第一电容具有第一连接端以及第二连接端。第一电容的第一连接端耦接第一晶体管的第二连接端,第一电容的第二连接端耦接静态随机存取存储单元的底材电压。第二晶体管具有第一连接端、第二连接端以与栅极端,第二晶体管的第一连接端耦接第二位线,第二晶体管的栅极端耦接字符线。第二电容具有第一连接端以及第二连接端,第二电容的第一连接端耦接第二晶体管的第二连接端,第一电容的第二连接端耦接底材电压。 | ||
| 搜索关键词: | 晶体管 静态 随机存取 存储 单元 及其 操作方法 | ||
【主权项】:
1.一种两晶体管的静态随机存取存储单元,其特征是,其包括:一第一晶体管,具有第一连接端、第二连接端以与栅极端,该第一晶体管的第一连接端耦接二第一位线,该第一晶体管的栅极端耦接一字符线;一第一电容,具有第一连接端以及第二连接端,该第一电容的第一连接端耦接该第一晶体管的第二连接端,该第一电容的第二连接端耦接该静态随机存取存储单元的一单元底材电压;一第二晶体管,具有第一连接端、第二连接端以与栅极端,该第二晶体管的第一连接端耦接一第二位线,该第二晶体管的栅极端耦接该字符线;以及一第二电容,具有第一连接端以及第二连接端,该第二电容的第一连接端耦接该第二晶体管的第二连接端,该第一电容的第二连接端耦接该单元底材电压。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





