[发明专利]罩幕式只读存储器低热预算制作工艺有效
| 申请号： | 02120307.5 | 申请日： | 2002-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN1459848A | 公开（公告）日： | 2003-12-03 |
| 发明（设计）人： | 黄水钦;潘仁泉 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8246 | 分类号： | H01L21/8246 |
| 代理公司： | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾省新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种罩幕式只读存储器低热预算制作工艺，提供具有一栅氧化层于其上的基底，再于栅氧化层上形成一第一导体层，然后于基底中形成数个位线。接着，于第一导体层上形成一第二导体层，随后于基底中形成数个只读存储码。 | ||
| 搜索关键词： | 罩幕式 只读存储器 低热 预算 制作 工艺 | ||
【主权项】：
1、一种罩幕式只读存储器低热预算制作工艺，其特征在于：包括：提供一基底，该基底上具有一栅氧化层；于该栅氧化层上形成一第一导体层；于该基底中形成复数个位线；于该第一导体层上形成一第二导体层；于该基底中形成复数个只读存储器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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