[发明专利]铜金属化制作工艺的低电阻值阻挡层的制造方法

摘要

一种铜金属化制作工艺的低电阻值阻挡层的制造方法，利用改变物理气相沉积法或化学气相沉积法中的含氮反应气体流量，使所沉积的氮化钽薄膜中所含有的氮原子浓度由底面向表面递减，而形成表面为钽金属结构的氮化钽阻挡层。应用此铜金属化制作工艺的低电阻值阻挡层的制造方法，可结合钽金属与氮化钽材料的结构特性，使阻挡层同时具有良好的附着性与阻隔效果，改善一般铜金属内联机的回拉现象。如此一来，可提升铜制作工艺中集成电路多层金属内联机(MultilevelInterconnect)的导电稳定性，而提高其抗电迁移阻抗及产品可靠度。

主权项

1.一种铜金属化制作工艺的低电阻值阻挡层的制造方法，其特征在于：至少包括：提供一基材；形成一开口于该基材中；进行一沉积步骤，先沉积具有一厚度的一阻挡层后，使一含氮反应气体流量递减，并继续形成该阻挡层覆盖于该开口，其中该阻挡层由复数个金属原子与复数个氮原子(N)所构成，而该些氮原子的浓度由该阻挡层的一底面向该阻挡层的一表面递减。