[发明专利]源/汲极的制造方法无效
| 申请号： | 02119860.8 | 申请日： | 2002-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN1459826A | 公开（公告）日： | 2003-12-03 |
| 发明（设计）人： | 赖东明;林东生;叶曜嘉;庄筱雯;沈峻锋 | 申请（专利权）人： | 矽统科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/28;H01L21/335 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一源/汲极的制造方法，是于一主动区形成源/汲极结构。于主动区具有一闸极结构，在闸极两侧具有间隙壁。以一入射角θ1对该闸极一侧的该主动区进行一第一离子布植并同时以一入射角θ2对该闸极另一侧的该主动区进行一第二离子布植而形成一淡掺杂源/汲极结构，再以一第三离子布植在该闸极及该间隙壁两侧的该主动区形成源/汲极。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种源/汲极的制造方法，是作用于一主动区之上，该主动区上具有一闸极，在该闸极两侧具有间隙壁，其特征在于，该方法至少包含：以一入射角θ1对该闸极一侧的该主动区进行一第一离子布植并同时以一入射角θ2对该闸极另一侧的该主动区进行一第二离子布植而形成千淡掺杂源/汲极；以及以一第三离子布植在该闸极及该间隙壁两侧的该主动区形成源/汲极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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