[发明专利]掩膜式只读存储器的编码方法有效
| 申请号： | 02118929.3 | 申请日： | 2002-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN1455450A | 公开（公告）日： | 2003-11-12 |
| 发明（设计）人： | 许丹 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8246 | 分类号： | H01L21/8246 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种掩膜(mask)式只读存储器的编码方法，首先，提供一半导体基底，上述半导体基底形成有掩膜式只读存储单元阵列。接着在上述半导体基底上方形成一粗糙粘附层。然后在上述粗糙粘附层表面形成一编码掩膜，上述编码掩膜覆盖欲保护的存储器单元。其次，利用上述编码掩膜为遮蔽物，并且植入离子于上述未被遮蔽部分的半导体基底，以进行编码。 | ||
| 搜索关键词： | 掩膜式 只读存储器 编码 方法 | ||
【主权项】：
1.一种掩膜式只读存储器的编码方法，包括下列步骤：提供一半导体基底，上述半导体基底形成有掩膜式只读存储单元阵列；在上述半导体基底上方形成一粗糙粘附层；在上述粗糙粘附层表面形成一编码掩膜；利用上述编码掩膜为遮蔽物，并且植入离子于上述未被遮蔽部分的半导体基底，以进行编码。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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