[发明专利]薄膜整体声共振器的制造无效
| 申请号： | 02118470.4 | 申请日： | 2002-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN1419387A | 公开（公告）日： | 2003-05-21 |
| 发明（设计）人： | 徐五权;全灿凤;朴万金 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H04Q7/32 | 分类号： | H04Q7/32;H01L41/08 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波,侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制造气隙型薄膜整体声共振器(FBAR)的方法。该FBAR制造方法包括(a)在半导体衬底上沉积并构图下电极；(b)在下电极上沉积并构图压电材料层；(c)在压电材料层上沉积并构图上电极；(d)形成穿过上电极、压电材料层和下电极的孔；以及(e)将氟化物注入到孔中，使得可以在半导体衬底上形成气隙，并且非等离子体蚀刻半导体衬底。因为FBAR制造方法在制造过程中不包括形成并去除牺牲层，所以制造工艺被简化。此外，不具有频率选择性的气隙可以形成，且FBAR的性能可以提高。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 整体 共振器 制造 | ||
【主权项】：
1.一种气隙型薄膜整体声共振器的制造方法，该方法包括：(a)在半导体衬底上沉积并构图下电极；(b)在下电极上沉积并构图压电材料层；(c)在压电材料层上沉积并构图上电极；(d)形成穿过上电极、压电材料层和下电极的孔；以及(e)将氟化物注入到孔中，使得可以在半导体衬底上形成气隙，并且非等离子体蚀刻半导体衬底。
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