[发明专利]一种氧化铝－氧化硅复合氧化物薄膜制备工艺无效
| 申请号： | 02114499.0 | 申请日： | 2002-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN1448534A | 公开（公告）日： | 2003-10-15 |
| 发明（设计）人： | 陈照峰;张立同;成来飞;徐永东 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | C23C16/40 | 分类号： | C23C16/40 |
| 代理公司： | 西北工业大学专利中心 | 代理人： | 黄毅新 |
| 地址： | 710072 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氧化铝－氧化硅复合氧化物薄膜制备工艺，仅使用惰性气体氩气作为载气及稀释气体，以目前国际通用的化学气相沉积炉作为复合氧化物薄膜制造设备，能够制备出比例可调的氧化铝－氧化硅复合氧化物薄膜，制备温度约500～800℃，可用于制备对氢气有强渗透性的薄膜、金属表面耐磨涂层以及非氧化物陶瓷基复合材料防氧化涂层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化铝 氧化 复合 氧化物 薄膜 制备 工艺 | ||
【主权项】：
1、一种氧化铝-氧化硅复合氧化物薄膜制备工艺，其特征在于采用化学气相沉积法，以正硅酸乙酯和无水三氯化铝作为先驱体，以氩气作为载气和稀释气。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
