[发明专利]掺镧锆钛酸铅陶瓷的低温烧结方法无效
| 申请号： | 02111568.0 | 申请日： | 2002-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN1166586C | 公开（公告）日： | 2004-09-15 |
| 发明（设计）人： | 张燕;温保松;严鸿萍 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C04B35/472 | 分类号： | C04B35/472;C04B35/64 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 20005*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及掺镧锆钛酸铅陶瓷(PLZT-9/65/35)的低温烧结方法，其特征在于(1)采用偏离其低共熔点而富PbF2的(0.80-0.55)PbF2/(0.20-0.45)PbO(克分子比)为助熔剂组成；(2)助熔剂组成直接与PLZT基料中的各原料按组分称量配制，在800℃-850℃温度下，保温1-3小时，获得含助熔剂的PLZT-9/65/35料块，按常规陶瓷工艺，粉碎，过筛，干压成型后，最后在980℃-1080℃，保温2-5小时烧结。本发明以一次性均匀混合的简便工艺实现大幅度降低PLZT基陶瓷烧结温度而又不影响其性能。 | ||
| 搜索关键词： | 掺镧锆钛酸铅 陶瓷 低温 烧结 方法 | ||
【主权项】：
1.一种掺镧锆钛酸铅陶瓷的低温烧结方法，包括原料选择、混合制成料块、烧成，其特征在于：(1)以偏离PbF2/PbO低共熔点而富PbF2的(0.80-0.55)PbF2/(0.20-0.45)PbO(克分子比)为烧结助熔剂，加入量2～5wt％；将上述助熔剂组分的原料直接加入到Pb0.91La0.09(Zr0.65Ti0.35)0.9775O3原料中一次性混合均匀，以传统固相烧结反应方法，在800-850℃温度下，保温1-3小时，获得含助熔剂的PLZT-9/65/35料块；(2)在980～1080℃温度下，经2～5小时保温烧结。
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