[发明专利]含反应合成碳硼铝化合物相的碳化硅陶瓷的液相烧结法无效
| 申请号： | 02111060.3 | 申请日： | 2002-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN1164525C | 公开（公告）日： | 2004-09-01 |
| 发明（设计）人： | 谭寿洪;廖陆林;江东亮 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C04B35/565 | 分类号： | C04B35/565;C04B35/573;C04B35/64 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 20005*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种含反应合成碳硼铝化合物相的碳化硅陶瓷的液相烧结法。其特征在于所述的碳硼铝化合物相的组成为Al8B4C7。具体工艺是，首先按酚醛树脂溶液∶B4C粉∶Al＝1∶0.1-0.6∶0.4-1.5(质量)比例的烧结助剂按α-SiC粉料的2～15％(质量)加入；其次，具体配比是烧结助剂与SiC粉料混合物∶SiC球∶无水乙醇＝1∶3∶1(质量)；最后，在流动Ar气保护下，烧结材料，烧结温度为1800℃-1950℃，保温时间1-4小时，在烧结过程C-B4C-Al烧结助剂反应合成Al8B4C7，从而生成含碳硼铝化合物相的SiC陶瓷。本发明比常用的以B4C和C作为烧结助剂的热压工艺低200℃。 | ||
| 搜索关键词： | 反应 合成 碳硼铝 化合物 碳化硅 陶瓷 烧结 | ||
【主权项】：
1、一种含反应合成碳硼铝化合物相的碳化硅陶瓷的液相烧结法，包括起始SiC原料配比、成型、烧结过程，其特征在于：(1)将按酚醛树脂溶液∶B4C粉∶Al＝1∶0.1-0.6∶0.4-1.5(质量)比例的烧结助剂按α-SiC粉料的2～15％(质量)加入；(2)以无水乙醇为分散介质，以SiC球为磨球，具体配比是烧结助剂与SiC粉料混合物∶SiC球∶无水乙醇＝1∶3∶1(质量)；(3)烘干浆料、过筛，成型后在真空中600℃粘除粘结剂；(4)在流动Ar气保护下，烧结材料，烧结温度为1800℃-1950℃，保温时间1-4小时，在烧结过程C-B4C-Al烧结助剂反应合成Al8B4C7，生成含碳硼铝化合物相的SiC陶瓷。
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