[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 02108717.2 | 申请日： | 2002-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN1412849A | 公开（公告）日： | 2003-04-23 |
| 发明（设计）人： | 行川敏正 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L27/10 | 分类号： | H01L27/10;G11C11/34 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件，多条布线大体上并行地配置。第1放大器配置在含于上述多条布线中的相邻的2条布线中的一方的布线上。上述第1放大器，配置在把上述一方的布线的规定的距离间等分成大体上1/n(n为大于2的整数)的至少一个位置上。第1放大器由奇数个反相器电路构成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：被配置为大体上平行的传播信号的多条布线；配置在含于上述多条布线中相邻2条布线中的一方的布线上的第1放大器，上述第1放大器由配置在把上述一方的布线的规定的距离间等分成大体上1/n的至少一个位置上的奇数个反相器电路构成，n为大于2的整数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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