[发明专利]灰调掩模中灰调部的缺陷修正方法有效
| 申请号： | 02108248.0 | 申请日： | 2002-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN1448783A | 公开（公告）日： | 2003-10-15 |
| 发明（设计）人： | 中山宪治 | 申请（专利权）人： | 保谷株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00;G03F7/26 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种对于用现有的修正方法实际上很难修正的灰调部中的缺陷，可容易地修正的修正方法。例如，在包含白缺陷的区域中形成修正膜8之后，用与正常图形具有相同的灰调效果的形状及/或排列除去上述修正膜8的一部分，形成与正常图形3a、3b的宽度和位置不同的修正图形3a’、3b’。 | ||
| 搜索关键词： | 灰调掩模中灰调部 缺陷 修正 方法 | ||
【主权项】：
1.一种缺陷修正方法，用来修正具有遮光部、透射部和灰调部的灰调掩模中灰调部的缺陷，该灰调部是形成使用灰调掩模的曝光机的分辨率界限以内的遮光图形的区域，目的是减少透射过该区域的光的透射量而可选地改变光敏抗蚀剂的膜厚，其特征在于，不将缺陷部分还原为与正常图形相同的图形，而形成可得到与正常图形相同的灰调效果的修正图形。
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G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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