[发明专利]晶片保护装置无效
申请号: | 02107794.0 | 申请日: | 2002-03-22 |
公开(公告)号: | CN1447382A | 公开(公告)日: | 2003-10-08 |
发明(设计)人: | 陈苇霖;胡宏盛 | 申请(专利权)人: | 明基电通股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/30;H01L21/306 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陈小雯,肖鹂 |
地址: | 暂无信息 | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种晶片保护装置,用以在一液体中保持一晶片,其中晶片具有不与液体进行反应的一第一表面、以及位于第一表面相反面的一第二表面,且在第二表面上形成有一反应部和一抵挡部,抵挡部和液体的反应速率比反应部和液体的反应速率慢,而上述晶片保护装置包括一第一基座、一第二基座以及一第一阻隔件,第一基座以与晶片的第一表面接触的方式承载晶片,第二基座与第一基座连接,第一阻隔件设置于第二基座上,且当第二基座与第一基座连接时,第一阻隔件与晶片的第二表面的抵挡部抵接;通过上述构成,可确实阻绝液体与晶片上欲保护的区域接触。 | ||
搜索关键词: | 晶片 保护装置 | ||
【主权项】:
1.一种晶片保护装置,用以在一液体中保持一晶片,其中该晶片具有不与该液体进行反应的一第一表面、以及位于该第一表面相反面的一第二表面,且在该第二表面上形成有一反应部和一抵挡部,该抵挡部和该液体的反应速率比该反应部和该液体的反应速率慢,而上述晶片保护装置包括:一第一基座,以与该晶片的第一表面接触的方式承载该晶片;一第二基座,与该第一基座连接;以及一第一阻隔件,设置于该第二基座上,且当该第二基座与该第一基座连接时,该第一阻隔件与该晶片的第二表面的抵挡部抵接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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