[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 02107456.9 | 申请日： | 2002-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN1375869A | 公开（公告）日： | 2002-10-23 |
| 发明（设计）人： | 木崎正康 | 申请（专利权）人： | 卡西欧计算机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/28;H01L21/60 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 黄剑锋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的半导体器件包括半导体衬底(11);多个凸点电极(16),形成在所述半导体衬底(11)上;以及密封膜(21),形成在所述凸点电极(16)间的所述半导体衬底(11)上,具有处于比所述凸点电极(16)的上表面高的位置的上表面、和露出所述各凸点电极(16)的上表面的开口部(19)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于包括：半导体衬底(11)；多个凸点电极(16)，形成在所述半导体衬底(11)上；第1密封膜(17)，形成在所述凸点电极(16)间的所述半导体衬底(11)上，上表面与所述凸点电极(16)的上表面基本上为同一表面；以及第2密封膜(18)，形成在所述第1密封膜(17)上，在与所述凸点电极(16)的上表面对应的位置上有开口部(19)。
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