[发明专利]半导体存储器件

摘要

半导体存储器件的各个MIS晶体管具备半导体层(12);在半导体层上形成的源区(15);在半导体层上与上述源区分离开形成的漏区(14),使源区和漏区之间的半导体层变成为浮置状态的沟道体;用来在沟道体上形成沟道的第1栅极(13)用来借助于电容耦合控制沟道体电位的第2栅极(20);和在沟道体的第2栅极一侧形成的高浓度区(21),具有比沟道体的杂质浓度还高的杂质浓度。

主权项

1.一种具有用来构成存储单元(MC)的多个MIS晶体管的半导体存储器件，其特征在于：各MIS晶体管具备：半导体层(12)；在上述半导体层上形成的源区(15)；在上述半导体层上与上述源区分离开形成的漏区(14)，使上述源区和上述漏区之间的上述半导体层变成为浮置状态的沟道体；用来在上述沟道体上形成沟道的第1栅极(13)；用来借助于电容耦合控制上述沟道体电位的第2栅极(20)；在上述沟道体的上述第2栅极一侧形成的高浓度区(21)，具有比上述沟道体的杂质浓度还高的杂质浓度，上述MIS晶体管，动态地存储把上述沟道体设定为第1电位的第1数据状态和把上述沟道体设定为第2电位的第2数据状态。