[发明专利]沉积绝缘层于沟槽中的装置无效
| 申请号： | 02107115.2 | 申请日： | 2002-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN1444265A | 公开（公告）日： | 2003-09-24 |
| 发明（设计）人： | 林平伟;郭国权;姜兆声 | 申请（专利权）人： | 矽统科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76;H01L21/31;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种沉积绝缘层于沟槽中的装置，适用于在基底中形成有沟槽的晶圆，该装置至少包含：一第一高密度电浆化学气相沉积室，用以沉积一第一绝缘层于该沟槽中，但是并未填满该沟槽。一氢氟酸蒸气蚀刻室，邻设于该第一高密度电浆化学气相沉积室，用以去除部分该第一绝缘层而形成残留在该沟槽底部的剩余的该第一绝缘层，并且露出位于该第一绝缘层上方的该沟槽侧壁。一第二高密度电浆化学气相沉积室，邻设于该氢氟酸蒸气蚀刻室，用以沉积一第二绝缘层而填满该沟槽。籍由该装置，可形成无孔洞的沟槽绝缘层。 | ||
| 搜索关键词： | 沉积 绝缘 沟槽 中的 装置 | ||
【主权项】：
1.一种沉积绝缘层于沟槽中的装置，适用于在基底中形成有沟槽的晶圆，该沉积绝缘层于沟槽中的装置至少包含：一晶圆载入室，用以暂存该晶圆；一第一高密度电浆化学气相沉积室，邻设于该晶圆载入室，用以对该晶圆施行沉积一第一绝缘层于该沟槽中，但是并未填满该沟槽；一氢氟酸蒸气蚀刻室，邻设于该第一高密度电浆化学气相沉积室，用以对该晶圆施行去除部分该第一绝缘层而形成残留在该沟槽底部的剩余的该第一绝缘层，并且露出位于剩余的该第一绝缘层上方的该沟槽侧壁；一第二高密度电浆化学气相沉积室，邻设于该氢氟酸蒸气蚀刻室，用以对该晶圆施行沉积一第二绝缘层而填满该沟槽；以及一晶圆载出室，邻设于该第二高密度电浆化学气相沉积室。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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