[发明专利]温度补偿式晶体振荡器无效
| 申请号： | 02106685.X | 申请日： | 2002-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN1423498A | 公开（公告）日： | 2003-06-11 |
| 发明（设计）人： | 郑赞榕 | 申请（专利权）人： | 三星电机株式会社 |
| 主分类号： | H04Q7/32 | 分类号： | H04Q7/32;H03B1/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 谢丽娜,谷惠敏 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 此处公开了一种温度补偿式晶体振荡器。该温度补偿式晶体振荡器包括第一和第二分层结构,IC芯片,晶体振荡片,树脂模制部分和金属盖。第一分层结构由至少一个层组成,并且其中形成一个孔。第二分层结构,位于第一分层结构的上表面之上,包括至少一个其中形成有孔的层,形成该孔的区域与第一分层结构的孔不重叠。IC芯片,插入到第一分层结构的孔中。晶体振荡片,插入到第二分层结构的孔中。树脂模制部分,通过把树脂填入第一分层结构用于容纳IC芯片的孔中形成与第一分层结构的底面相齐平的孔的底面而形成。金属盖,位于第二分层结构的上表面,用于盖住第二分层结构所形成的孔。 | ||
| 搜索关键词： | 温度 补偿 晶体振荡器 | ||
【主权项】：
1.一种温度补偿式晶体振荡器，包括：第一分层结构，它由至少一个层组成，并且其中形成一个孔；第二分层结构，位于第一分层结构的上表面，由至少一个层组成，并且在与第一分层结构的孔不相重叠的区域形成一个孔；IC芯片，插入到第一分层结构的孔中；晶体振荡片，插入到第二分层结构的孔中；树脂模制部分，通过把树脂填入第一分层结构容纳IC芯片的孔中，使孔的底面与第一分层结构的底面相齐平而形成；金属盖，位于第二分层结构的上表面，用于盖住第二分层结构中形成的孔。
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