[发明专利]可降低微粒污染的真空吸引装置有效
申请号: | 02106280.3 | 申请日: | 2002-04-08 |
公开(公告)号: | CN1450618A | 公开(公告)日: | 2003-10-22 |
发明(设计)人: | 肖德元;李景伦;张开军;周俊;邓觉为 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;B25B11/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所 | 代理人: | 陈亮 |
地址: | 20120*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种可降低微粒污染的真空吸引装置,包括:支撑盘第一管路、控制装置、第二管路、第三管路和清洗装置。其中支撑盘具有一上表面,且支撑盘内具有至少一通道连接至上表面。第一管路的一端与该通道相连,另一端则与控制装置相连。第二管路的一端连接至控制装置,另一端则连接至一真空系统。第三管路的一端连接至控制装置,另一端则连接至一排水系统。清洗装置系用以清洗支撑盘的上表面。其中清洗装置可为喷水器、洗涤器、或超音波震动喷水器。 | ||
搜索关键词: | 降低 微粒 污染 真空 吸引 装置 | ||
【主权项】:
1.一种可降低微粒污染的真空吸引装置,包括:一支撑盘,具有一上表面,该支撑盘内具有至少一通道连接至该上表面;一第一管路,一端与该通道相连;一控制装置,与该第一管路的另一端相连;一第二管路,一端连接至该控制装置,另一端连接至一真空系统;一第三管路,一端连接至该控制装置,另一端连接至一排水系统;以及一清洗装置,用以清洗该支撑盘的该上表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/02106280.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:含能材料DDT管实验的压力测量方法
- 下一篇:具有防水窗口的研磨垫
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造