[发明专利]使用双轨电源供应的互补式金氧半晶体管组成的基本标准组件布局

摘要

本发明揭露一种使用双轨电源供应的互补式金氧半晶体管(CMOS)组成的基本标准元件布局，至少包含：复数个CMOS晶体管，其中一半个数的CMOS晶体管位于接参考电位的第一金属导线上方，其余一半个数的CMOS晶体管位于第一金属导线下方；上半部的CMOS晶体管连接至第二金属导线，下半部的CMOS晶体管连接至第三金属导线，第二金属导线及第三金属导线连接至一电源供应端，此外每两个相邻接CMOS晶体管为一组，每一组的汲极端互相连接，闸极端也互相连接，该每一组的汲极端系做为一讯号输出端或相邻一组的闸极的输入端。

主权项

1.一种使用双轨电源供应的互补式金氧半晶体管组成的基本标准组件布局，至少包含：第一PMOS晶体管由第一轨电源线提供电源；第二PMOS晶体管由第二轨电源线提供电源，其中该第二PMOS晶体管的闸极端和该第一PMOS晶体管的闸极端连接并耦合至一输入端，该第一PMOS晶体管的汲极端和该第二PMOS晶体管的汲极端耦合至一输出端；第一NMOS晶体管；及第二NMOS晶体管，该第一NMOS晶体管与该第二NMOS晶体管的源极端连接至一参考电源端，该第一NMOS晶体管与该第二NMOS晶体管的汲极端耦合至该输出端，该第一NMOS晶体管与该第二NMOS晶体管的闸极端耦合至该输入端。