[发明专利]形成低介电常数介电层的方法及导电内连线结构有效
| 申请号： | 02105938.1 | 申请日： | 2002-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN1450624A | 公开（公告）日： | 2003-10-22 |
| 发明（设计）人： | 章勋明;余振华;梁孟松 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/3115;H01L23/52 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 台湾省新竹科*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种形成低介电常数介电层的方法，包含形成绝缘层于底层之上，然后刻绝缘层以形成开口于其中。之后形成导电层于绝缘层之上并回填于该开口，且平坦化该导电层，以形成导电结构于其中。扩散导电层的金属离子进入该绝缘层用以降低其介电常数，其中上述导电层包含铜材质，上述绝缘层包含环状碳氢聚合物(aromatichydrocarbonpolymer)。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 介电常数 介电层 方法 导电 连线 结构 | ||
【主权项】：
1、一种形成低介电常数介电层的方法，该方法包含：形成绝缘层于底层之上；蚀刻该绝缘层以形成开口于其中；形成导电层于该绝缘层之上；平坦化该导电层，以形成导电结构于该开口之中；及扩散该导电层的金属离子进入该绝缘层用以降低其介电常数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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