[发明专利]形成微影制程的相偏移光罩的方法无效

专利信息
申请号: 02105559.9 申请日: 2002-04-16
公开(公告)号: CN1452009A 公开(公告)日: 2003-10-29
发明(设计)人: 林心迪 申请(专利权)人: 林心迪
主分类号: G03F1/08 分类号: G03F1/08;G03F7/26;G03F7/20
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 李强
地址: 暂无信息 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明为一种形成微影制程的相偏移光罩的方法,步骤为:提供一片已镀有反相层及不透光铬膜的石英玻璃基板;于所述不透光铬膜之上形成一层第一光阻层;利用电子束微影技术或激光扫描技术定义出反相层图案的位置;进行显影制程,再利用蚀刻技术对所述不透光铬膜进行蚀刻以形成第一铬图案,再将所述第一光阻层去除;对所述反相层进行蚀刻以形成反相层图案;形成第二光阻层;通过一片寄生光罩,运用半导体微影制程所使用的曝光机台进行曝光制程,以定义出第二铬图案的位置,并进行显影制程;以及对所述第一铬图案进行蚀刻,以形成第二铬图案;本发明第二次写入通过一片寄生光罩,利用低成本的曝光机台而取代习知的高成本且低产能的电子束微影技术或激光扫描技术,可大幅降低相偏移光罩的制造成本并增加产能。
搜索关键词: 形成 微影制程 偏移 方法
【主权项】:
1.一种形成微影制程的相偏移光罩的方法,其特征是:包含下列步骤:提供一片已镀有反相层及不透光铬膜的石英玻璃基板;于所述不透光铬膜之上形成一层第一光阻层;利用电子束微影技术定义出反相层图案的位置;进行显影制程,再利用蚀刻技术对所述不透光铬膜进行蚀刻以形成第一铬图案,再将所述第一光阻层去除;对所述反相层进行蚀刻以形成反相层图案;形成第二光阻层;通过一片寄生光罩,运用半导体微影制程所使用的曝光机台进行曝光制程,以定义出第二铬图案的位置,并进行显影制程;以及对所述第一铬图案进行蚀刻,以形成第二铬图案。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于林心迪,未经林心迪许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/02105559.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top