[发明专利]垂直型半导体可变电阻装置及其制造方法有效
| 申请号： | 02105193.3 | 申请日： | 2002-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN1441478A | 公开（公告）日： | 2003-09-10 |
| 发明（设计）人： | 季明华 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76;H01L21/70 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 马娅佳 |
| 地址： | 台湾省新竹科*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种垂直型半导体可变电阻装置，包括一基底、一绝缘层、一第一及第二掺杂区。其中，基底具有一沟槽。绝缘层则填满基底的沟槽。第一及第二掺杂区分别位于该沟槽的两侧。第一掺杂区具有一控制电位，第二掺杂区与基底间的一电阻受控制电位的影响而产生变化。另外，本发明亦提供一利用此垂直型半导体可变电阻装置而设计的参考电压产生器，可具有较佳的电压稳定度。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 半导体 可变 电阻 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种垂直型半导体可变电阻装置，包括：一基底，具有一沟槽；一绝缘层，填满该基底的沟槽；以及一第一及第二掺杂区，分别位于该沟槽的两侧；其中，该第一掺杂区具有一控制电位，该第二掺杂区与该基底间的一电阻受该控制电位的影响而产生变化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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