[发明专利]一种非易失性存储单元的编程及擦除方法

摘要

本发明提供一种选择性编程非易失性存储器阵列的各存储单元的方法。该方法首先提供一存储单元阵列，每一存储单元包括一阱、一设于该阱中并被一具有第二导电类型的局部阱区域包围的第一导电类型的漏极、一横向设置于该阱中的第一导电类型的源极、一电荷俘获层、以及一栅极。该方法还包括通过一选定的位线同时施加一第一电压于一选定的存储单元的漏极和局部阱区域上，浮置该选定的存储单元的源极，并施加一第二电压于该选定存储单元的栅极上。

主权项

1.一种选择性编程非易失性存储器阵列中的存储单元的方法，包括：提供一存储单元阵列，每个存储单元包括：一阱，该阱具有第一导电类型；一第一导电类型的扩散漏极，设置在该阱中并被一具有第二导电类型的局部阱区域包围；一第一导电类型的扩散源极，横向设置在该阱中；一电荷俘获层，位于该扩散漏极与该扩散源极之间的该局部阱区域和该阱之上；以及一栅极，位于该电荷俘获层之上；通过一选定的位线同时施加一第一电压于一选定的该存储单元的该扩散漏极与该局部阱区域上；浮置该选定的存储单元的该扩散源极；以及施加一第二电压在该选定的存储单元的该栅极上，籍此在该电荷俘获层与该局部阱区域之间诱发福乐尔-诺汉德隧道效应。