[发明专利]适用在高频和模拟中承受高电压的静电放电电路有效
| 申请号： | 02105009.0 | 申请日： | 2002-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN1438704A | 公开（公告）日： | 2003-08-27 |
| 发明（设计）人： | 陈重辉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L27/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 潘培坤,陈红 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种适用于高频的静电放电电路，其包括一二极管和堆栈的NMOS晶体管串联于接脚垫和电压源之间，或是接脚垫和接地之间，借助二极管具有较小电容，有效降低接脚垫的电容，借助堆栈NMOS晶体管，使其能够承受高电压。 | ||
| 搜索关键词： | 适用 高频 模拟 承受 电压 静电 放电 电路 | ||
【主权项】：
1.一种高频静电放电电路，其特征在于：包括：第一二极管，其阳极耦接到一接脚垫；第一NMOS晶体管，其汲极耦接到第一二极管的阴极，闸汲耦接到一高电压源；第二NMOS晶体管，其汲极耦接到第一NMOS晶体管的源极，源极耦接到上述高电压源；第三NMOS晶体管，其汲极耦接到第二NMOS晶体管的闸极，源极耦接到一低电压源；一电阻，耦接于所述高电压源和第三NMOS晶体管的闸极之间；以及一电容，耦接于所述低电压源和第三NMOS晶体管得闸极之间。
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