[发明专利]用超临界二氧化碳制备导电聚吡咯复合膜材料的方法

摘要

本发明提供了一种新的聚吡咯导电复合膜的制备方法：利用超临界流体CO2对聚合物基体较强的溶胀性，将溶解在超临界CO2中的吡咯单体带入含有氧化剂的基体膜中引发聚合，生成导电聚吡咯复合膜。控制反应条件可得到仅表面导电或体积导电的聚吡咯复合膜。与已有的文献、专利相比，本发明采用无毒、不可燃的超临界CO2作为反应介质，省去了水或其他一些有毒溶剂如甲醇、乙腈的使用，因而具有环保特性，是一种非常有应用前景的导电复合材料制备技术。

主权项

1、一种用超临界二氧化碳制备导电聚砒咯复合膜材料的方法，其特征在于聚吡咯导电复合膜的制备是按照以下顺序分步完成的：(1)将氧化剂和基体聚合物按重量比5/95～50/50分别溶解在适当溶剂中，将二者均匀混合后在玻璃板上铺膜，待溶剂基本挥发后，转移到40℃的烘箱中真空干燥48小时，得到0.1～1毫米厚的混有氧化剂的聚合物基体膜，(2)将步骤(1)所得混有氧化剂的聚合物基体膜及吡咯单体置于高压反应釜中，通入99.9％高纯CO2，条件控制为：温度33～100℃、压力8～30MPa，使CO2达到超临界状态，恒温恒压20分钟～24小时，使导电聚合物单体随超临界流体CO2渗透到基体聚合物中并与氧化剂反应生成导电聚合物复合材料，(3)在10～60秒时间内将超临界流体CO2释放并与大气相通，得到聚吡咯导电复合膜。