[发明专利]一种晶体的激光定向方法无效
| 申请号: | 02104316.7 | 申请日: | 2002-02-25 |
| 公开(公告)号: | CN1441459A | 公开(公告)日: | 2003-09-10 |
| 发明(设计)人: | 吴喜泉;吴少凡;李敢生 | 申请(专利权)人: | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/66 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 3500*** | 国省代码: | 福建;35 |
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| 摘要: | 一种晶体的激光定向方法,是利用晶体的恒角度原理,运用激光照射晶体自然晶面或其解理面,观察反射光斑的位置,参照基准方块反射光斑的位置,然后判定晶体轴向的准确方向。该定向方法具有省时、节约晶体材料、安全、高效、上机切割之前还可检验是否有偏离所要求的方向等优点。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 晶体 激光 定向 方法 | ||
【主权项】:
1.一种晶体的激光定向方法,是利用晶体的恒角度原理,运用激光照射晶体自然晶面或其解理面,观察反射光斑的位置,参照基准方块反射光斑的位置,然后判定晶体轴向的准确方向,其特征在于,该定向方法由以下步骤组成:1)把连接方块(3)用502胶粘在平玻璃(2)上,然后把平玻璃放在旋转平台(1)上且四周用橡皮泥粘住,该平台在竖直方向可以有30mm的升降范围,具体的视晶体大小而定;2)调整He-Ne光源(5)和参照墙(6)及旋转平台(1)大致在同一水平位置,把基准方块(4)紧贴连接方块,用He-Ne光照射基准方块,调节旋转平台使反射光斑正好落在参照墙(6)上的合适位置,并作下记号;3)小心取走基准方块,换上钒酸钇晶胚,调整平台高度(此时平台不可转动),使He-Ne光照射在晶胚中的籽晶解理面(100),挪动晶体使解理面的反射光斑也正好落在第二步的记号位置,此时用502胶粘住晶体,就可以上盘切割了;4)如果怀疑在滴502胶的时候移动了晶体,可以用多个方块在平玻璃上拼凑绕到晶体之前反射He-Ne光,然后取下反射方块,让晶体反射,看看两个光斑是否重合,当基准方块比晶胚高出一段时,也可以利用平台的升降来使晶体和基准方块反射,看看光斑是否重合;5)由于(010)面发育不够完整,故使用(011)面来确定第二个a面,已知(010)与(011)所成的夹角是48.6°(经过预先计算),则在第3步晶体切割出(100)面以后,先将转盘转过后(如图4所示),以(011)面反射激光,此时定得(010)面并上盘切割;6)同时垂直于(100)面和(010)面即可切出(001)即c方向。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





