[发明专利]一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池及其制备方法无效
| 申请号: | 02104073.7 | 申请日: | 2002-03-08 |
| 公开(公告)号: | CN1151560C | 公开(公告)日: | 2004-05-26 |
| 发明(设计)人: | 庄大明;张弓;方玲;杨波 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
| 主分类号: | H01L31/0232 | 分类号: | H01L31/0232;H01L31/0224;H01L31/04;H01L31/18 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 100084*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | 一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池及其制备方法,涉及半导体薄膜的制备和半导体薄膜器件的结构设计。本发明的特点是以n型硫化锌(ZnS)为窗口层,以铜铟镓硒P型半导体薄膜为吸收层,与ZnS形成ZnS/Cu(In,Ga)Se2p-n结,其金属背电极为钼-铜合金(Mo-Cu)。本发明以ZnS代替了ZnO等材料作为薄膜太阳能电池的窗口层,增大了吸收层的太阳光吸收光谱范围,同时避免了含重金属Cd的有害物质的使用;背电极采用Mo-Cu合金代替Mo,使得电池与衬底之间的结合更加牢固,提高了电池的成品率。因此,本发明具有结构简单,光的转换效率高、稳定性好,无污染,工艺简便等优点。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 铜铟镓硒 薄膜 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池,依次由减反射膜、透明电极层、窗口层、过渡层、光吸收层、金属背电极和衬底组成,其特征在于:所述的窗口层为n型硫化锌薄膜;所述的金属背电极为钼-铜合金,其中铜的含量为3~30%。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





