[发明专利]半导体集成电路及其制备方法无效
| 申请号： | 02102570.3 | 申请日： | 2002-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN1369912A | 公开（公告）日： | 2002-09-18 |
| 发明（设计）人： | 谏田诚 | 申请（专利权）人： | 夏普公司 |
| 主分类号： | H01L23/50 | 分类号： | H01L23/50;H01L21/60;H01L21/28;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳,叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种半导体集成电路,它包括均匀高度的凸起电极。半导体集成电路包括半导体衬底(晶片),具有分别限定在正表面上的多个凸起电极形成区和凸起电极非形成区;第一电极焊盘,形成在凸起电极非形成区中;第二电极焊盘,形成在每个凸起电极形成区中;以及凸起电极,形成在每个第二电极焊盘上;其中在利用电镀形成凸起电极中第一电极焊盘用于将电镀电流经过半导体衬底供给第二电极焊盘。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体集成电路，包括：半导体衬底，具有分别限定在其正表面上的多个凸起电极形成区和凸起电极非形成区；第一电极焊盘，形成在凸起电极非形成区中；第二电极焊盘，形成在每个凸起电极形成区中；以及凸起电极，形成在每个第二电极焊盘上；其中在利用电镀形成凸起电极中第一电极焊盘用于将电镀电流经过半导体衬底供给第二电极焊盘。
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