[发明专利]一种消除化学机械研磨碟化效应的内连线制造方法无效
| 申请号: | 02101728.X | 申请日: | 2002-01-14 | 
| 公开(公告)号: | CN1433061A | 公开(公告)日: | 2003-07-30 | 
| 发明(设计)人: | 徐震球;李世达 | 申请(专利权)人: | 矽统科技股份有限公司 | 
| 主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 | 
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 李强 | 
| 地址: | 台湾省新竹*** | 国省代码: | 暂无信息 | 
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| 摘要: | 一种消除化学机械研磨碟化效应的内连线制造方法,于具有金属线的半导体基底的介电层上形成研磨停止层,接下来,以镶嵌制程形成具镶嵌结构的金属层,并以研磨停止层作为第一研磨终点,执行第一化学机械研磨制程,磨除位于研磨停止层上方的阻障层及金属层,而后以金属层表面作为第二研磨终点,执行第二化学机械研磨制程,磨除研磨停止层,借以避免因为化学机械研磨制程所导致的碟化效应。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 消除 化学 机械 研磨 效应 连线 制造 方法 | ||
【主权项】:
                1、一种消除化学机械研磨碟化效应的内连线制造方法,其特征在于:包括下列步骤:提供一半导体基底,并于上述半导体基底形成一金属线;形成一介电层于上述基底,并覆盖上述金属线;形成一研磨停止层于上述介电层;以镶嵌制程界定上述介电层,形成贯穿上述研磨停止层及介电层并连接上述金属线的镶嵌结构;形成一阻障层于上述研磨停止层上及上述镶嵌结构的内壁;形成一金属层于上述阻障层,并填满上述镶嵌结构;以上述研磨停止层作为第一研磨终点,执行第一化学机械研磨制程,磨除位于上述研磨停止层上方的上述阻障层及金属层;以上述金属层表面作为第二研磨终点,执行第二化学机械研磨制程,磨除上述研磨停止层;及形成一第一密封层以覆盖上述金属层及介电层。
            
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                    H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
                
            H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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