[发明专利]一种消除化学机械研磨碟化效应的内连线制造方法无效

专利信息
申请号: 02101728.X 申请日: 2002-01-14
公开(公告)号: CN1433061A 公开(公告)日: 2003-07-30
发明(设计)人: 徐震球;李世达 申请(专利权)人: 矽统科技股份有限公司
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 李强
地址: 台湾省新竹*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种消除化学机械研磨碟化效应的内连线制造方法,于具有金属线的半导体基底的介电层上形成研磨停止层,接下来,以镶嵌制程形成具镶嵌结构的金属层,并以研磨停止层作为第一研磨终点,执行第一化学机械研磨制程,磨除位于研磨停止层上方的阻障层及金属层,而后以金属层表面作为第二研磨终点,执行第二化学机械研磨制程,磨除研磨停止层,借以避免因为化学机械研磨制程所导致的碟化效应。
搜索关键词: 一种 消除 化学 机械 研磨 效应 连线 制造 方法
【主权项】:
1、一种消除化学机械研磨碟化效应的内连线制造方法,其特征在于:包括下列步骤:提供一半导体基底,并于上述半导体基底形成一金属线;形成一介电层于上述基底,并覆盖上述金属线;形成一研磨停止层于上述介电层;以镶嵌制程界定上述介电层,形成贯穿上述研磨停止层及介电层并连接上述金属线的镶嵌结构;形成一阻障层于上述研磨停止层上及上述镶嵌结构的内壁;形成一金属层于上述阻障层,并填满上述镶嵌结构;以上述研磨停止层作为第一研磨终点,执行第一化学机械研磨制程,磨除位于上述研磨停止层上方的上述阻障层及金属层;以上述金属层表面作为第二研磨终点,执行第二化学机械研磨制程,磨除上述研磨停止层;及形成一第一密封层以覆盖上述金属层及介电层。
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