[发明专利]垂直式只读存储器及其工艺

摘要

一种垂直式只读存储器及其工艺，是在基底中形成沟渠，并于沟渠的底部制作源极/漏极，而在基底的表面上形成栅极；沟渠之中设有与源极/漏极电性连接的多晶硅位线，多晶硅与沟渠侧壁的基底以介电层加以隔绝，并且以沟渠的侧壁作为编码区。

主权项

1、一种垂直式只读存储器，其特征是，其结构包括：一基底，该基底具有相互交替的一突起区与一凹陷区；一栅极导体层，其配置于该基底的该突起区上；一源极/漏极，其位于该基底的该凹陷区中；一编码区，其位于该凹陷区与该突起区的侧壁；一栅介电层，其配置于该栅极导体层与该基底之间；一导体层，其配置于该基底的凹陷区上，并且与该源极/漏极电性连接；一字符线，其配置于该基底上，且与该栅极导体层电性连接；一绝缘层，其配置于该导体层与该凹陷区侧壁的该基底之间。