[发明专利]利用镶嵌制程形成金属电容器的方法及其产品

摘要

一种利用镶嵌制程形成金属电容器的方法及其产品，于形成金属薄膜电容器之前，先利用铜金属镶嵌制程来制作其下的内连线，之后沉积一层绝缘层，并于其中形成开口，接着依序沉积顺应性的第一金属层、介电层和第二金属层，再进行化学机械研磨制程，将开口外多余的第一金属层、介电层和第二金属层磨除，直至暴露出其下方的绝缘层为止，即于开口中形成电容器。在完成电容器之后，继续利用铜金属镶嵌制程来制作其上的内连线。具有内含电容器的积体电路的尺寸可以容易地达成缩小化、降低所需的微影蚀刻步骤、降低制造内含电容器的积体电路的制造成本及降低电容器区域和非电容器区域之间的高度落差的功效。

主权项

1、一种利用镶嵌制程形成金属电容器的方法，其特征是：它至少包括如下步骤：(1)提供第一绝缘层；(2)于该第一绝缘层中形成第一铜导线和第二铜导线；(3)至少于该第一和第二铜导线上形成第一密封层；(4)于该第一密封层上形成第二绝缘层；(5)于该第二绝缘层和第一密封层中形成一开口，暴露出该第一铜导线；(6)于该开口中顺应性形成第一金属层；(7)于该第一金属层上顺应性形成介电层；(8)于该介电层上顺应性形成第二金属层；(9)移除该第一金属层、该介电层和该第二金属层至暴露出该第二绝缘层；(10)于该第二绝缘层和该第二金属层上形成第三绝缘层；(11)于该第三绝缘层和该第二绝缘层中形成多数个双镶嵌图案，该双镶嵌图案包含多数个沟槽和多数个介层窗孔；(12)于该沟槽中形成第三铜导线和第四铜导线，以及于该介层窗孔中形成第三、一铜插塞和第四、二铜插塞，其中该第一金属层经由该第三、一铜插塞与该第三铜导线电性连接，该第四铜插塞经由该第四、二铜插塞与该第二铜导线电性连接；(13)至少于该第三和第四铜导线上形成第二密封层。