[发明专利]覆盖有金属阻障层的内连线结构及其制作方法无效
| 申请号： | 02100116.2 | 申请日： | 2002-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN1430275A | 公开（公告）日： | 2003-07-16 |
| 发明（设计）人： | 徐震球;李世达;顾子琨 | 申请（专利权）人： | 矽统科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/535 | 分类号： | H01L23/535;H01L21/768;H01L21/283;H01L21/31;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘朝华 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种覆盖有金属阻障层的内连线结构及其制作方法，包括有至少两个相邻的金属导线之间是隔着一开口；金属阻障层是形成于金属导线的侧壁上；介电层是覆盖金属阻障层与金属导线的曝露区域，且填满开口至一预定高度；接触插塞是贯通介电层而与金属导线的顶部形成电连接。具有通过覆盖层来增加内连线结构与内金属介电层之间的附着性及防止内金属介电层的出气现象的功效。 | ||
| 搜索关键词： | 覆盖 金属 阻障 连线 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种覆盖有金属阻障层的内连线结构，其特征是：它是制作于半导体基底上，至少包括有至少两个相邻的金属导线形成于该半导体基底表面上，且该两相邻的金属导线之间是隔着一开口；金属阻障层是形成于该金属导线的侧壁上；介电层覆盖该金属阻障层与该金属导线的曝露区域，且填满该开口至一预定高度；接触插塞是贯通该介电层且与该金属导线的顶部形成电连接。
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