[发明专利]低介电常数材料及其制备方法无效

专利信息
申请号: 01823116.0 申请日: 2001-10-18
公开(公告)号: CN1643030A 公开(公告)日: 2005-07-20
发明(设计)人: P·阿彭;K·劳;FQ·刘;B·科罗勒夫;E·布罗克;R·泽雷宾;D·纳勒瓦耶克;R·梁 申请(专利权)人: 霍尼韦尔国际公司
主分类号: C08G63/78 分类号: C08G63/78;C08F8/00;C08L71/10
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 张元忠;王其灏
地址: 美国新*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明涉及低介电常数聚合物和生产这些低介电常数聚合物,介电材料和层,以及电子组件的方法。在本发明的一个方面,提供了热固性单体的异构混合物,其中该单体具有芯结构和多个分支,以及将热固性单体的异构混合物聚合,其中聚合包括位于单体的至少一个分支上的乙炔基的反应。在本发明主题的另一个方面,形成了具有带芳族结构部分和第一反应基的第一骨架和带芳族结构部分和第二反应基的第二骨架的旋压低介电常数材料,其中第一和第二骨架通过该第一和第二反应基在优选不用附加交联剂的交联反应中交联,和其中具有至少8个原子的一个笼形结构共价连接于该第一和第二骨架的至少一个。
搜索关键词: 介电常数 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种异构热固性单体混合物,其中该混合物包括具有以下结构式的至少一种单体:其中Y选自笼形化合物和硅原子,以及R1、R2、R3和R4独立选自芳基,支化芳基和亚芳基醚,和其中芳基、支化芳基和亚芳基醚的至少一个具有一个乙炔基。
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