[发明专利]形成次平版印刷的光阻材料图案的制作方法有效
| 申请号： | 01823095.4 | 申请日： | 2001-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN1494732A | 公开（公告）日： | 2004-05-05 |
| 发明（设计）人： | J·A·雪德斯;U·欧可洛尼亚吾;杨志宇 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊;程伟 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种在集成电路中形成次平版印刷的图案的制作方法。该制作方法包含在成像图案和显影之后，但在为下一层成像图案之前，修改光阻材料层(16)。该修改过的光阻材料层(16)在垂直的和水平的方向有不同的蚀刻率。以等离子体蚀刻修整该修改过的光阻材料层(16)。包含在该修整过的光阻材料层(16)的图案(54)具有次平版印刷的侧向尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 平版印刷 材料 图案 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种修整成像在光阻材料层(16)上的图案(54)的方法，该光阻材料层(16)设置在基板(12)上，而且该图案(54)包括顶部(58)和侧表面，该方法包含步骤：修改成像在光阻材料层(16)上的图案(54)的顶部(58)以形成修改过的顶部；以及修整成像在光阻材料层(16)上的图案(54)以形成修整过的图案(54)，其中垂直向的修整率和侧向的修整率与该图案相关并且由于该修改过的顶部该垂直向的修整率比该侧向的修整率慢。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
