[发明专利]利用电介质阻挡层实施金属镶嵌的方法有效
| 申请号： | 01823091.1 | 申请日： | 2001-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN1575515A | 公开（公告）日： | 2005-02-02 |
| 发明（设计）人： | 杨凯;D·M·赫伯;王斐 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊;程伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明通过电介质阻挡层(50，90，91)完成金属镶嵌过程以改善台阶覆盖并降低接触电阻。实施例包括利用两种不同的电介质层(50，31)避免定位不准的问题。实施例更进一步包括利用铜类金属物质(100)来完成双层金属镶嵌(100A，100B)的过程。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 电介质 阻挡 实施 金属 镶嵌 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体装置的方法，该方法包括：于基板(10)上形成第一电介质层(30)；于该第一电介质层(30)上形成包括第一电介质阻挡材料的第一阻挡层(31)；蚀刻形成由该第一电介质层(30)之侧表面(30A)与底部所界定的第一开孔(32)；在该第一电介质层(30)之上的该第一阻挡层上表面及界定该第一开孔的第一电介质层的侧表面以及该开孔底部，形成包括不同于该第一电介质阻挡材料(31)的第二电介质阻挡材料的第二阻挡层(40)；对该第一阻挡层进行选择性蚀刻以从该第一阻挡层的上表面移除该第二阻挡层，并停止于该第一阻挡层上表面，并自该第一开孔的底部移除该第二阻挡层，剩下位于界定该第一开孔(32)的该第一电介质层(30)的该侧表面(30A)上衬里(50)的该第二阻挡层部分；以及以金属填充该开孔以形成下部金属特征(60)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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