[发明专利]用于控制电镀层厚度均匀性的方法和装置无效
| 申请号： | 01822564.0 | 申请日： | 2001-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN1551931A | 公开（公告）日： | 2004-12-01 |
| 发明（设计）人： | 布伦特·M·贝斯;保罗·林德奎斯特 | 申请（专利权）人： | 纽仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | C25D17/00 | 分类号： | C25D17/00;C25D5/02;C25D7/12;C25D21/12;C25D5/00;C25D5/06;C25C3/16 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 | 代理人： | 傅强国 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提出了一种可以在将导电材料从电解质沉积到一个半导体表面上的期间控制厚度均匀性的装置，该装置包括一个可以在所述导电材料沉积期间被电解质接触的阳极、包含适合于在沉积期间移动基片的载体的阴极装置、以及允许电解质流经的导电元件。一个掩模覆盖在导电元件表面，且有允许电解质流经的开孔。所述开孔界定了导电元件的激活区域，通过所述激活区域可以改变导电材料沉积在表面上的速率。一个电源可以在阳极装置和阴极装置之间提供电势，以产生沉积。还揭示了一种沉积材料的工艺，且可以另外完成半导体基片上导电材料的均匀电蚀刻。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 控制 镀层 厚度 均匀 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种用于将导电材料电沉积在晶片表面上的系统，其特征在于，该系统包括：一个阳极；一个有上表面和下表面的掩模，该掩模含有许多在上表面和下表面之间延伸的开孔，且该掩模被支撑在阳极和晶片表面之间；位于掩模上表面下方的导电网孔，使掩模的许多开孔可以界定导电网孔的许多激活区域，其中，导电网孔被连接到第一电源；以及电解质液，它流经掩模的开孔和导电网孔的激活区域，以接触晶片的表面。
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